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氧-MGO晶体单晶供应商--「在线咨询」







对天然菱镁矿的加热得到氧-mgo,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°c以上,会生长出氧-mgo晶体。主要性能参数 尺寸:10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm;厚度:0.5mm,1.0mm;抛光:单面或双面;晶向:<001>;±0.5o;晶面定向精度:±0.5°;边缘定向精度:2°特殊要求可达1°以内;斜切晶片:可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜倾斜角1°-45°的晶片;ra:≤5a5μm×5μm。






氧-mgo是极1好的单晶基片而广泛应用于制作铁电薄膜、磁学薄膜、光电薄膜和高温超导薄膜等,由于它在微波波段的介电常数和损耗都很小,且能得到大面积的基片直径2英吋及,所以是当前产业化的重要高温超导薄膜单晶基片之一。 

主要性能参数 尺寸:10x3,10x5,10x10,15x15,,20x15,20x20,dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm;厚度:0.5mm,1.0mm;抛光:单面或双面;晶向:<001>;±0.5o;晶面定向精度:±0.5°;边缘定向精度:2°特殊要求可达1°以内;斜切晶片:可按特定需求,加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜倾斜角1°-45°的晶片;ra:≤5a5μm×5μm。







氧-晶体属于氧-产品中的产品,科技含量高,附加值大。因此高氧-晶体产品的研制和生产,对开发我国特有的资源优势有着十分重要的意义。对天然菱镁矿的加热得到氧-mgo,再将其加入到电弧炉中,加热到2800°c以上,会生长出氧-mgo晶体。氧-mgo单晶是非常重要的基片材料和光学材料,在很多领域有重要的应用。 







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